DN1509N8-G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 90V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
Rise Time 16ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 90V
Height 1.6mm
Width 2.6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ω @ 200mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Fall Time (Typ) 16 ns
Continuous Drain Current (ID) 360mA
Drain-source On Resistance-Max 6Ohm
FET Feature Depletion Mode
Length 4.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DN1509K1-G Micrel / Microchip Technology Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2589
DN1509K1-G Microchip Technology Einzelne MOSFET-Transistoren
DN1509N8-G Micrel / Microchip Technology Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2512

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