DN3135N8-G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Power Dissipation-Max 1.3W Ta
Current 135A
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 Ω @ 150mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 135mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 135mA
Drain to Source Breakdown Voltage 350V
Height 1.6mm
Width 2.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Voltage 350V
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.3W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 120pF @ 25V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
FET Feature Depletion Mode
Length 4.6mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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DN3135K1-G Microchip Technology Einzelne MOSFET-Transistoren
DN3135K1-G TEL:88834448 Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 8242
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