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DN3765K4-G Technische Spezifikationen

MICROCHIP DN3765K4-G. MOSFET, N CHANNEL, 650V, 0.3A, TO-252AA-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 50 ns
Transistor Application SWITCHING
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 825pF @ 25V
Rise Time 75ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
FET Feature Depletion Mode
Length 6.73mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ω @ 150mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 0V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 300mA
Drain-source On Resistance-Max 8Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 0.5A
Height 2.39mm
Width 6.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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DN3765N3 SUPERTEXI Spezialisierte heiße ICs 1751

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