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LN100LA-G Technische Spezifikationen
MOSFET 1200V Cascoded N-Channel MOSFET
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | Microchip Technology |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-VFLGA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 6 |
Max Power Dissipation | 350mW |
Terminal Form | BUTT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Channels | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 10μA |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V 1.2kV |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 1.6V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -25°C~125°C TJ |
Published | 2014 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
FET Type | 2 N-Channel (Cascoded) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3000 Ω @ 2mA, 2.8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Continuous Drain Current (ID) | 3mA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
FET Feature | Standard |
LN100LA-G Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "LN100" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'LN100'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
LN1001SR-G | LN | Spezialisierte heiße ICs | 851 |
LN100F10KE | Ohmite | Chassis-Montage-Widerstände | 2635 |
LN100F7R0E | Ohmite | Chassis-Montage-Widerstände | 2601 |
LN100F916RE | Ohmite | Chassis-Montage-Widerstände | 2623 |
LN100LA-G | Micrel / Microchip Technology | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2777 |
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