TC6320TG-G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N/P-CH 200V 8-Pin SOIC N T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 84.99187mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 2V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
FET Feature Standard
Length 4.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number TC6320
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Rise Time 15ns
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) -2A
Drain-source On Resistance-Max 7Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.65mm
Width 3.9mm
REACH SVHC No SVHC
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