TN0104N3-G Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 40V 0.45A 3-Pin TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW THRESHOLD
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 500μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 3V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 450mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.45A
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 219.992299mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 20V
Rise Time 7ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
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