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EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D Technische Spezifikationen

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (128M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.14 V ~ 1.95 V
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 533MHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EDB4416BBBH-1DIT-F-D Micron Technology Erinnerung 2708
EDB4416BBBH-1DIT-F-R Micron Technology Erinnerung 2744
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Erinnerung 2526
EDB4432BABH-1D-F ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 6
EDB4432BAPA-8D-F ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 2757
EDB4432BAPA-8D-F-D ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 20
EDB4432BAPA8DF BGA Spezialisierte heiße ICs 60
EDB4432BAPC-1D-F ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 2540
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