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EDW4032BABG-80-F-D Technische Spezifikationen

IC RAM 4G PARALLEL 2GHZ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SGRAM - GDDR5
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (128M x 32)
Memory Format RAM
Detailed Description SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 2GHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.31 V ~ 1.65 V
Operating Temperature 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 2GHz
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
EDW4032BABG-50-F-D Micron Technology Erinnerung 2679
EDW4032BABG-60-F ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 110
EDW4032BABG-60-F-D Micron Technology Erinnerung 5446
EDW4032BABG-60-F-R ELPIDA Spezialisierte heiße ICs 1008
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Erinnerung 2705
EDW4032BABG-70-F Micron Technology Spezialisierte heiße ICs 468
EDW4032BABG-70-F-D Micron Technology Erinnerung 2643
EDW4032BABG-70-F-R Micron Technology Spezialisierte heiße ICs 402
EDW4032BABG-70-F-R TR Micron Technology Erinnerung 2705
EDW4032CABG-50-N-F-D Micron Technology Erinnerung 2385

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