MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Technische Spezifikationen

IC DRAM 16G 2133MHZ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Other Names MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR-ND MT53D256M64D4NY-046XT:BTR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 16Gb (256M x 64)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -30°C ~ 105°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 2133MHz
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MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Markenhersteller: Micron Technology, Bonchip Aktie, MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Referenzpreis. MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Parameter, MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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