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1N5416US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Supplier Device Package D-5B
Reverse Recovery Time (trr) 150ns
Package / Case E-MELF
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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