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1N5552US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
Supplier Device Package D-5B
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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1N5551 Semtech Dioden - Gleichrichter - Einzeln 751
1N5551 Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter
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