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1N5804 Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875mV @ 1A
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Package / Case A, Axial
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
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