1N6077US Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 100V 6A D5B

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.76V @ 18.8A
Supplier Device Package D-5B
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case SQ-MELF, E
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 6A
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1N6070 Microsemi TVS-Dioden 2545
1N6070A Microsemi TVS-Dioden 2589
1N6071 Microsemi TVS-Dioden 2773
1N6071A Microsemi TVS-Dioden 2600
1N6072 Microsemi TVS-Dioden 2667
1N6072A Microsemi TVS-Dioden 2666
1N6072A Microsemi Corporation TVS-Dioden
1N6073 Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2761
1N6073 Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter
1N6073US Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2625

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