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2N2221AUB Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V 0.8A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package 3-SMD
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N2220 HGF Spezialisierte heiße ICs 50000
2N2221 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 54460
2N2221 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 54315
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2N2221A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2606
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