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2N2432 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 30V 0.1A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 300mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-18 (TO-206AA)
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N2432A Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2679
2N2432A Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N2432AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2672
2N2432UB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2714

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