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2N2907AE4 Technische Spezifikationen

DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
RoHS Status RoHS Compliant
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-18
Power - Max 500mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
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2N2904A Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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