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2N2920L Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 350mW
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package TO-78-6
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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2N2920 Central Semiconductor Corp Arrays BJT-Transistoren
2N2920 Microsemi Corporation Arrays BJT-Transistoren
2N2920A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2638
2N2920A Central Semiconductor Corp Arrays BJT-Transistoren
2N2920L Microsemi Corporation Arrays BJT-Transistoren
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