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2N4029 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 80V 1A TO-18

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 500mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-18
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N4023 NS Spezialisierte heiße ICs 438
2N4029 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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