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2N4449 Technische Spezifikationen

TRANS NPN 20V TO46

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 360mW
Package / Case TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package TO-46 (TO-206AB)
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
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2N4449UB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2511
2N4449UB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren

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