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2N5014 Technische Spezifikationen

NPN SILICON TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Supplier Device Package TO-5
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-5
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N5010 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2670
2N5011 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2774
2N5012 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2565
2N5012 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N5012S Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2625
2N5013 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
2N5013S Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2636
2N5014 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N5014S Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2643
2N5015 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2577

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