2N5875 Technische Spezifikationen

PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Series *
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
RoHS Status RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor
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2N5871 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 21016
2N5871 NS/MOT Spezialisierte heiße ICs 21016
2N5872 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 16850
2N5872G. AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 20866
2N5873 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2524
2N5873 MOT/FSC/NS Spezialisierte heiße ICs 2755
2N5873G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 20866
2N5874 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2585
2N5875 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N5876 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 20866

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