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2N6766 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 150W (Tc)
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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2N6760 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2668
2N6760 Microsemi Corporation Einzelne MOSFET-Transistoren
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