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APT1001RBN Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS IV®
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT1001R1BN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 642
APT1001R2HN APT Spezialisierte heiße ICs 2982
APT1001R3BN APT Spezialisierte heiße ICs 6948
APT1001R6BN APT Spezialisierte heiße ICs 2845
APT1001RBLC APT Spezialisierte heiße ICs 2879
APT1001RBNR IXYS Spezialisierte heiße ICs 2686
APT1001RBVFR APTMICROSEMI Spezialisierte heiße ICs 2360
APT1001RBVFRG APT Spezialisierte heiße ICs 2464
APT1001RBVR APT Spezialisierte heiße ICs 19
APT1001RBVRG Microse Spezialisierte heiße ICs 1924

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