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APT11N80BC3G Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
APT11N80BC3G Unterlagen
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT1101R2BFLL | APT | Spezialisierte heiße ICs | 2702 |
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