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APT11N80KC3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package TO-220 [K]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 7.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT1101R2BFLL APT Spezialisierte heiße ICs 2702
APT1101RBFLL APT Spezialisierte heiße ICs 2971
APT1101RBFLLX APT Spezialisierte heiße ICs 19
APT11026JFLL APT IGBT-Module 2850
APT11044B2FLL APT Spezialisierte heiße ICs 2937
APT11044JFLL APT IGBT-Module 2834
APT11058B2FLL APT Spezialisierte heiße ICs 2960
APT11058JFLL APT IGBT-Module 2998
APT11058LFLL APT IGBT-Module 2812
APT110GF60JN APT IGBT-Module 2967

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