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APT13F120S Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package D3Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4765pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 625W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT13001NTR-G1 BCD Spezialisierte heiße ICs 3148
APT13003CZ-E1 BCD Spezialisierte heiße ICs 2344
APT13003DI-G1 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1289
APT13003DU-E1 BCD/DIO Spezialisierte heiße ICs 78778
APT13003DU-G1 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 14500
APT13003DZTR-G1 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1287
APT13003EU-E1 BCD Spezialisierte heiße ICs 2291
APT13003EU-G1 Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 60000
APT13003EZ-E1 BCD Spezialisierte heiße ICs 54383
APT13003EZTR BCD Spezialisierte heiße ICs 2625

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APT13F120S Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APT13F120S Referenzpreis. APT13F120S Parameter, APT13F120S Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APT13F120S Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APT13F120S Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APT13F120S Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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