APT14M100B Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3965pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
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APT14050JVFR Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2917
APT14050JVFRX IGBT Module IGBT-Module 2977
APT14050JVRX APT Spezialisierte heiße ICs 2836
APT140N65JC6 APT IGBT-Module 2519
APT14F100B Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2797
APT14F100S Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2555
APT14F5020 APT Spezialisierte heiße ICs 2642
APT14M100S Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2546
APT14M120B Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1243

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