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APT200GN60JDQ4 Technische Spezifikationen
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Package / Case | ISOTOP |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14.1nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 283A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Power - Max | 682W |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
Configuration | Single |
APT200GN60JDQ4 Unterlagen
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Datenblätter
2.APT200GN60JDQ4.pdf 1.APT200GN60JDQ4.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'APT20'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | IGBT-Module | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | Einzelne IGBTs | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT200GN60JG | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2632 |
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT-Module |
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