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APT25GP120BDQ1G Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 69A 417W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 500µJ (on), 440µJ (off)
Series POWER MOS 7®
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 110nC
Current - Collector (Ic) (Max) 69A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 12ns/70ns
Supplier Device Package TO-247 [B]
Power - Max 417W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT25GF100BN APT Spezialisierte heiße ICs 2958
APT25GF120JCU2 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2697
APT25GF120JCU2 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2756
APT25GLQ120JCU2 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT25GN120B APT Spezialisierte heiße ICs 2960
APT25GN120B2DQ2 APT IGBT-Module 2927
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2756
APT25GN120B2DQ2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT25GN120BG Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2899

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APT25GP120BDQ1G Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APT25GP120BDQ1G Referenzpreis. APT25GP120BDQ1G Parameter, APT25GP120BDQ1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APT25GP120BDQ1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APT25GP120BDQ1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APT25GP120BDQ1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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