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APT30F50B Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 415W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 14A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4525pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT3024JLL APT Spezialisierte heiße ICs 2791
APT30D100B APT IGBT-Module 767
APT30D100BCA APT IGBT-Module 2633
APT30D100BCAG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Arrays 2644
APT30D100BCAG Microsemi Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
APT30D100BCT APT IGBT-Module 1816
APT30D100BCTG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Arrays 14248
APT30D100BCTG Microsemi Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
APT30D100BG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 1403
APT30D100BG Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter

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