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APT30F60J Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 355W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 215nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 21A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8590pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT3024JLL APT Spezialisierte heiße ICs 2791
APT30D100B APT IGBT-Module 767
APT30D100BCA APT IGBT-Module 2633
APT30D100BCAG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Arrays 2644
APT30D100BCAG Microsemi Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
APT30D100BCT APT IGBT-Module 1816
APT30D100BCTG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Arrays 14248
APT30D100BCTG Microsemi Corporation Gleichrichter-Dioden-Array
APT30D100BG Microsemi Dioden - Gleichrichter - Einzeln 1403
APT30D100BG Microsemi Corporation Einphasen-Diodengleichrichter

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