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APT30N60BC6 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 960µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 219W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 14.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2267pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
APT30N60BC6 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'APT30'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT3024JLL | APT | Spezialisierte heiße ICs | 2791 |
APT30D100B | APT | IGBT-Module | 767 |
APT30D100BCA | APT | IGBT-Module | 2633 |
APT30D100BCAG | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Arrays | 2644 |
APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | Gleichrichter-Dioden-Array | |
APT30D100BCT | APT | IGBT-Module | 1816 |
APT30D100BCTG | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Arrays | 14248 |
APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | Gleichrichter-Dioden-Array | |
APT30D100BG | Microsemi | Dioden - Gleichrichter - Einzeln | 1403 |
APT30D100BG | Microsemi Corporation | Einphasen-Diodengleichrichter |
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