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APT33GF120B2RDQ2G Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 64A 357W TMAX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 1.315µJ (on), 1.515µJ (off)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 170nC
Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 14ns/185ns
Power - Max 357W
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT33GF120B2RD APT Spezialisierte heiße ICs 2881
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APT33GF120B2RDQ2 APT Spezialisierte heiße ICs 2942
APT33GF120B2RDQ2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT33GF120BR APT Spezialisierte heiße ICs 2904
APT33GF120BRDQ2G APT Spezialisierte heiße ICs 2779
APT33GF120BRG Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2585
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