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APT34N80LC3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264 [L]
Power Dissipation (Max) 417W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 355nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT34F100B2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2957
APT34F100L Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2924
APT34F60B Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2749
APT34F60BG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2738
APT34M120J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2874
APT34M120J Microsemi Corporation Einzelne MOSFET-Transistoren
APT34M60 APT Spezialisierte heiße ICs 5
APT34M60B Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2825
APT34N80B2C3 APT Spezialisierte heiße ICs 2801
APT34N80B2C3G Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9676

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