APT40SM120S Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 20A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2560pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package D3Pak
Power Dissipation (Max) 273W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT4012BVFR APT Spezialisierte heiße ICs 2745
APT4012BVR Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2734
APT4012BVRG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2694
APT4014BVFR APT Spezialisierte heiße ICs 2733
APT4014BVR APT Spezialisierte heiße ICs 2767
APT4016BN APT Spezialisierte heiße ICs 2935
APT4016BVFR APT Spezialisierte heiße ICs 2776
APT4016BVFRG APT Spezialisierte heiße ICs 2973
APT4016BVR APT Spezialisierte heiße ICs 2938
APT4016BVRG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2629

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