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APT47GA60JD40 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package ISOTOP®
Power - Max 283W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 275µA
Configuration Single
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 47A
Series POWER MOS 8™
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.32nF @ 25V
IGBT Type PT
Current - Collector (Ic) (Max) 87A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT47F60J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2780
APT47GA90JD40 MICROSEMI IGBT-Module 2946
APT47M60J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2860
APT47N60BC3 APT Spezialisierte heiße ICs 2761
APT47N60BC3G Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5200
APT47N60BC3X APT Spezialisierte heiße ICs 5
APT47N60BCF APT Spezialisierte heiße ICs 2828
APT47N60BCFG APT Spezialisierte heiße ICs 2855
APT47N60C3 APT Spezialisierte heiße ICs 792
APT47N60SC3G Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2633

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