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APT5010JVRU3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package SOT-227
Power Dissipation (Max) 450W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 312nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7410pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT5010B2 APT IGBT-Module 2653
APT5010B2FLL APT IGBT-Module 1007
APT5010B2FLLG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2695
APT5010B2LC APT IGBT-Module 2840
APT5010B2LL APT IGBT-Module 2897
APT5010B2LLG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2683
APT5010B2VFR APT IGBT-Module 1368
APT5010B2VR APT IGBT-Module 2846
APT5010JFLL APT IGBT-Module 2427
APT5010JLC APT IGBT-Module 1298

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