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APT5014SLLG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Supplier Device Package D3 [S]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 17.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3261pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 7®
Power Dissipation (Max) 403W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT5010B2 APT IGBT-Module 2653
APT5010B2FLL APT IGBT-Module 1007
APT5010B2FLLG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2695
APT5010B2LC APT IGBT-Module 2840
APT5010B2LL APT IGBT-Module 2897
APT5010B2LLG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2683
APT5010B2VFR APT IGBT-Module 1368
APT5010B2VR APT IGBT-Module 2846
APT5010JFLL APT IGBT-Module 2427
APT5010JLC APT IGBT-Module 1298

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