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APT5025BN Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS IV® |
Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247AD |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 11.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
APT5025BN Unterlagen
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-
Datenblätter
APT5025BN.pdf
Andere schließen ein "APT50" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'APT50'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT5010B2 | APT | IGBT-Module | 2653 |
APT5010B2FLL | APT | IGBT-Module | 1007 |
APT5010B2FLLG | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2695 |
APT5010B2LC | APT | IGBT-Module | 2840 |
APT5010B2LL | APT | IGBT-Module | 2897 |
APT5010B2LLG | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2683 |
APT5010B2VFR | APT | IGBT-Module | 1368 |
APT5010B2VR | APT | IGBT-Module | 2846 |
APT5010JFLL | APT | IGBT-Module | 2427 |
APT5010JLC | APT | IGBT-Module | 1298 |
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