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APT51M50J Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Power Dissipation (Max) 480W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 290nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 37A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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APT51F50J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2738

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