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APT53N60BC6 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 600V 53A TO-247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.72mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 [B] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 25.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
APT53N60BC6 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT53F80J | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1343 |
APT53F80J | Microsemi Corporation | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
APT53N60SC6 | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2659 |
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