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APT58F50J Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 340nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT58F80J MICROSEMI IGBT-Module 2736
APT58M50J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2893
APT58M50J Microsemi Corporation Einzelne MOSFET-Transistoren
APT58M50JCU2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2746
APT58M50JCU3 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2682
APT58M50JU2 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2959
APT58M50JU3 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2576
APT58M50JV2 Microsemi IGBT-Module 2550
APT58M80J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2817
APT58MJ50J Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2522

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