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APT60M75JVFR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 31A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1050nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT6010B2FLLG APT Spezialisierte heiße ICs 59
APT6010B2LL APT Spezialisierte heiße ICs 2809
APT6010B2LLG Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2758
APT6010JFLL MICROSEMI IGBT-Module 2895
APT6010JLL APT IGBT-Module 2749
APT6010LFLL APT Spezialisierte heiße ICs 25
APT6010LFLLG APT Spezialisierte heiße ICs 2960
APT6010LLL APT IGBT-Module 2579
APT60112VRG APT Spezialisierte heiße ICs 79
APT6011B2VFR APT Spezialisierte heiße ICs 741

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