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APT65GP60B2G Technische Spezifikationen

IGBT 600V 100A 833W TMAX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 605µJ (on), 896µJ (off)
Power - Max 833W
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) 250A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/91ns
Series POWER MOS 7®
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 210nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT65GL100BN APT Spezialisierte heiße ICs 2700
APT65GP60B2 APT Spezialisierte heiße ICs 2914
APT65GP60B2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT65GP60J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2872
APT65GP60J Microsemi Corporation IGBT-Module
APT65GP60JDQ2 APT IGBT-Module 1418
APT65GP60JDQ2 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT65GP60L2DQ2G Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2714
APT65GP60L2DQ2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs

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