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APT70GR65B2SCD30 Technische Spezifikationen

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Power - Max 595W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge 305nC
Current - Collector (Ic) (Max) 134A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Td (on/off) @ 25°C 19ns/170ns
Series *
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 260A
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APT70GR120B2 Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2685
APT70GR120B2 Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT70GR120J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2504
APT70GR120J Microsemi Corporation IGBT-Module
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APT70GR120JD60 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT70GR120L Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2740
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APT70GR65B2SCD30 Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APT70GR65B2SCD30 Referenzpreis. APT70GR65B2SCD30 Parameter, APT70GR65B2SCD30 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APT70GR65B2SCD30 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APT70GR65B2SCD30 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APT70GR65B2SCD30 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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