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APT75GN120B2G Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 8045µJ (on), 7640µJ (off)
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 425nC
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Td (on/off) @ 25°C 60ns/620ns
Power - Max 833W
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
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