APT77N60BC6 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 2.96mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 481W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247 [B]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 44.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
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APT77H60J MICROSEMI IGBT-Module 2848
APT77N60JC3 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2908
APT77N60JC3 Microsemi Corporation Einzelne MOSFET-Transistoren
APT77N60SC6 Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2749

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