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APTC60DDAM45CT1G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA
Series CoolMOS™
Power - Max 250W
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 24.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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