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APTGTQ50TA65T3G Technische Spezifikationen

POWER MODULE - IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Supplier Device Package SP3F
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Three Phase Inverter 650V 50A 125W Chassis Mount SP3F
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Power - Max 125W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
Configuration Three Phase Inverter
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