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APTM100H46FT3G Technische Spezifikationen

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Series POWER MOS 8™
Power - Max 357W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 552 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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